2SC282H Todos los transistores

 

2SC282H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC282H
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO1
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC282H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:361K  1
 2sc2937 2sc3224 2sc3262 2sc3261 2sc3259 2sc2507 2sc2506 2sc2829 2sc2827 2sc2826.pdf pdf_icon

2SC282H

 8.2. Size:107K  toshiba
 2sc2824.pdf pdf_icon

2SC282H

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 8.3. Size:121K  mospec
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2SC282H

AAA

 8.4. Size:195K  inchange semiconductor
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2SC282H

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2827DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Fast Switching SpeedCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 0.7V(Max.)@ I = 3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage,high-speed,power switchingapplicat

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History: FT3055 | 2SA990 | AF289 | 2SD2108 | NSBC115TDP6 | MMBT930 | BCX75

 

 
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