2SC2832A Todos los transistores

 

2SC2832A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2832A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 900 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SC2832A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  inchange semiconductor
 2sc2832 2sc2832a.pdf pdf_icon

2SC2832A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2832 2SC2832A DESCRIPTION With TO-220 package Low collector saturation voltage High VCBO High speed switching APPLICATIONS For high speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25)

 7.1. Size:75K  no
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2SC2832A

 7.2. Size:149K  jmnic
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2SC2832A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2832 2SC2832A DESCRIPTION With TO-220 package Low collector saturation voltage High VCBO High speed switching APPLICATIONS For high speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER

 7.3. Size:193K  inchange semiconductor
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2SC2832A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2832DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 800V(Min)(BR)CBOHigh Switching SpeedLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collect

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History: ESM136 | NB313Y

 

 
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