2SC2901 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2901  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 375 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: TO92

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2SC2901 datasheet

 ..1. Size:156K  nec
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2SC2901

 8.1. Size:45K  sanyo
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2SC2901

Ordering number ENN778F PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1207/2SC2909 High-Voltage Switching AF 60W Predriver Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET process. unit mm High breakdown voltage. 2003B Excellent linearity of hFE and small Cob. [2SA1207/2SC2909] Fast switching speed. 5.0 4.0 4.0 0.45 0.5 0.44 0.45 1 2 3 1 Emitter

 8.2. Size:120K  mospec
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2SC2901

A A A

 8.3. Size:210K  inchange semiconductor
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2SC2901

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2908 DESCRIPTION With TO-3PN package Low collector saturation voltage APPLICATIONS For use in power amplifier and switching circuits applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBO

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