2SC2907 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC2907
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 150
Encapsulados: TO220
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2SC2907 datasheet
2sa1207 2sc2909 2sc2909.pdf
Ordering number ENN778F PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1207/2SC2909 High-Voltage Switching AF 60W Predriver Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET process. unit mm High breakdown voltage. 2003B Excellent linearity of hFE and small Cob. [2SA1207/2SC2909] Fast switching speed. 5.0 4.0 4.0 0.45 0.5 0.44 0.45 1 2 3 1 Emitter
2sc2908.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2908 DESCRIPTION With TO-3PN package Low collector saturation voltage APPLICATIONS For use in power amplifier and switching circuits applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBO
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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