2SC293S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC293S  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 130 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 45 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO5

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2SC293S datasheet

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2SC293S

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2SC293S

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2SC293S

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2938 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage V = 800V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed and high power applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER MAX UNIT V Colle

 8.4. Size:74K  inchange semiconductor
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2SC293S

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2937 DESCRIPTION With TO-247 package Switching power transistor High breakdown voltage APPLICATIONS For switching regulator applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol 3 Emitter Absolute maximum

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