2SC3000D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC3000D  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 320 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO92

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2SC3000D datasheet

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2SC3000D

Ordering number EN866C NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC3000 HF Amplifier Applications Features Package Dimensions FBET series. unit mm High fT and small Cre. 2003A [2SC3000] B Base JEDEC TO-92 C Collector EIAJ SC-43 E Emitter SANYO NP Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base

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2SC3000D

2SC3004 Silicon NPN Epitaxial Application High gain amplifier medium speed switching Outline TO-126 MOD 2 3 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 2 3 1 2SC3004 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 30 V Collector to emitter voltage VCEO 30 V Emitter to base voltage VEBO 7V Collector current IC 3A Collector peak current

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