2SC3020 Todos los transistores

 

2SC3020 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3020
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 520 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: XM5
 

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2SC3020 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:37K  hitachi
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2SC3020

 8.2. Size:189K  inchange semiconductor
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2SC3020

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3026DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage power switching character displayhorizontal deflection output applic

 8.3. Size:188K  inchange semiconductor
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2SC3020

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3025DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage power switching character displayhorizontal deflection output applic

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History: 2SA425 | GT402J | MUN5111DW1T1G

 

 
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