2SC3022 Todos los transistores

 

2SC3022 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3022
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 520 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: XM5
 

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2SC3022 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:37K  hitachi
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2SC3022

 8.2. Size:189K  inchange semiconductor
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2SC3022

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3026DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage power switching character displayhorizontal deflection output applic

 8.3. Size:188K  inchange semiconductor
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2SC3022

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3025DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage power switching character displayhorizontal deflection output applic

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