2SC303 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC303  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 90 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO5

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2SC303 datasheet

 0.1. Size:98K  sanyo
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2SC303

Ordering number EN996B NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC3039 400V/7A Switching Regulator Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO 500V). unit mm Fast switching speed. 2010C Wide ASO. [2SC3039] 1 Base JEDEC TO-220AB 2 Collector EIAJ SC-46 3 Emitter Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Paramet

 0.2. Size:99K  sanyo
 2sc3038.pdf pdf_icon

2SC303

Ordering number EN949B NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC3038 400V/4A Switching Regulator Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO 500V). unit mm Fast switching speed. 2010C Wide ASO. [2SC3038] 1 Base JEDEC TO-220AB 2 Collector EIAJ SC-46 3 Emitter Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Paramet

 0.3. Size:109K  fuji
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2SC303

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 0.4. Size:189K  inchange semiconductor
 2sc3032.pdf pdf_icon

2SC303

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SC3032 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage Low Collector-Emitter Breakdown Voltage Good Linearity of h FE 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in humidifier , DC/DC converter and general purpose app

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