2N1969 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1969
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO5
- Selección de transistores por parámetros
2N1969 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... 2N1963-46 , 2N1964 , 2N1964-46 , 2N1965 , 2N1965-46 , 2N1966 , 2N1967 , 2N1968 , MJE340 , 2N197 , 2N1970 , 2N1971 , 2N1972 , 2N1973 , 2N1974 , 2N1975 , 2N1978 .
History: 2N1196 | 2N4355 | MUN5116DW1T1G | 2SC4321 | 2SA909 | 2SA1480E
History: 2N1196 | 2N4355 | MUN5116DW1T1G | 2SC4321 | 2SA909 | 2SA1480E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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