2SC3303O Todos los transistores

 

2SC3303O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3303O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO218
 

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2SC3303O datasheet

 7.1. Size:167K  toshiba
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2SC3303O

2SC3303 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC3303 Industrial Applications High Current Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Low collector saturation voltage VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 3 A) High speed switching time tstg = 1.0 s (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Col

 7.2. Size:509K  jiangsu
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2SC3303O

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC3303 TRANSISTOR (NPN) TO-252-2L FEATURES 1. BASE Low Collector Saturation Voltage High Speed Switching Time 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltag

 7.3. Size:218K  inchange semiconductor
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2SC3303O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3303 DESCRIPTION High switching speed time Low collector-to-emitter saturation voltage Fast switching speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base

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History: 2SB772 | CSD880

 

 

 


 
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