2N1990N Todos los transistores

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2N1990N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1990N

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 40 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 20

Empaquetado / Estuche: TO5

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2N1990N Datasheet (PDF)

5.1. 2n1991.pdf Size:11K _semelab

2N1990N

2N1991 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar PNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 20V dia. IC = 0.3A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 c

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