2N1990N Todos los transistores

 

2N1990N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N1990N
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO5
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N1990N Datasheet (PDF)

 9.1. Size:11K  semelab
 2n1991.pdf pdf_icon

2N1990N

2N1991Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar PNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 20V dia.IC = 0.3A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1

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History: 2N1562 | KRC122S | 2N6208 | DDTB113ZC | CK727 | BDT32DF | TI621

 

 
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