2SC3422O Todos los transistores

 

2SC3422O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3422O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: ISO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC3422O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:175K  toshiba
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2SC3422O

 7.2. Size:149K  foshan
 2sc3422 3da3422.pdf pdf_icon

2SC3422O

2SC3422(3DA3422) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose: Audio frequency power amplifier, low speed switching. 5W h 2SA1359(3CA1359) FEFeatures: Suitable for output stage of 5 watts car radio and car stereo, good linearity of h , FE compleme

 7.3. Size:197K  inchange semiconductor
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2SC3422O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3422DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = 40V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1359Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifierLow speed switchingSuitable for output stage of 5 watts car radio and car stere

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History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
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