2SC3788F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC3788F  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: ISO126

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2SC3788F datasheet

 7.1. Size:154K  sanyo
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2SC3788F

Ordering number EN2253A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1478/2SC3788 High-Definition CRT Display Video Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage VCEO 200V. unit mm Small reverse transfer capacitance and excellent high 2042A frequency cahaceteristic [2SA1478/2SC3788] Cre=1.2pF (NPN), 1.7pF (PNP). Adoption of FBET proces

 7.2. Size:213K  foshan
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2SC3788F

2SC3788(3DA3788) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR CRT Purpose High-definition CRT display video output applications. , 2SA1478(3CA1478) Features High breakdown voltage, small reverse transfer capacitance and excellent high frequenc

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2SC3788F

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2SC3788F

Ordering number EN2089B PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1477/2SC3787 160V/140mA Switching Applications Applications Package Dimensions Predrivers for 100W power amplifiers. unit mm 2042B Features [2SA1477/2SC3787] Adoption of FBET process. Excellent linearity of hFE. Small Cob. Plastic-convered heat sink facilitating high-density mounting (TO-126M

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