2SC3790D Todos los transistores

 

2SC3790D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3790D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: ISO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC3790D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:175K  sanyo
 2sa1480 2sc3790.pdf pdf_icon

2SC3790D

Ordering number:EN2254PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1480/2SC3790High-Definiton CRT DisplayVideo Output ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCEO 300V).unit:mm Small reverse transfer capacitance and excellent high2042Afrequency characteristic[2SA1480/2SC3790]: Cre=1.8pF (NPN), 2.3pF (PNP). Adoption of MBIT process.

 7.2. Size:176K  foshan
 2sc3790 3da3790.pdf pdf_icon

2SC3790D

2SC3790(3DA3790) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High-definition CRT display video output applications. : Features: High breakdown voltage, small reverse transfer capacitance and excellent high frequency characteristic. /Absolu

 7.3. Size:187K  inchange semiconductor
 2sc3790.pdf pdf_icon

2SC3790D

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC3790DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SA1480100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-definition CRT display and video outputapplications.ABSOLUTE MAXIMU

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History: STA412A | KRC407V | ZTX454 | DMC56603 | BF393 | DTA024EEB

 

 
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