2SC381 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SC381
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC381

2SC381 Datasheet (PDF)

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DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC3810NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR MICROWAVE AMPLIFIERS AND ULTRA HIGH SPEED SWITCHINGSINDUSTRIAL USEFEATURES PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters) The 2SC3810 is an NPN silicon epitaxial dual transistor having+0.35.0 MIN. 3.5-0.2 5.0 MIN.a large-gain-bandwidth product performance in a wide operating3 2current range. Dual chips i

0.2. Size:41K panasonic
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Transistor2SC3811Silicon NPN epitaxial planer typeFor high speed switchingUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesHigh-speed switching.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.2Collector to base voltage VCBO 40 V0.45 0.1 0.45 0.1Collector to emitter voltage VCES 40 V1.27 1.27Emit

0.3. Size:45K panasonic
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