2SC3885 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC3885  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 1400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 8 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 150 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 8

Encapsulados: TOP3

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2SC3885 datasheet

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
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2SC3885

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3885 DESCRIPTION High Breakdown Voltage V = 1400V (Min) CBO High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Horizontal deflection output for high resolution display. High speed switching regulator output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

 8.2. Size:259K  toshiba
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2SC3885

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2SC3885

2SC388 0.05A , 30V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES TV Final picture if amplifier applications G H Emitter Collector Base J A D Millimeter REF. Min. Max. B A 4.40 4.70 B 4.30 4.70 K C 12.70 - D 3.30 3.81 E 0.36 0.56 F 0.36 0.51

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