2SC3891A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC3891A 📄📄

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 1400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 8 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 210 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: ISOWATT218

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2SC3891A datasheet

8.1. Size:96K sanyo
2sc3896.pdf pdf_icon

Ordering number EN4097 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC3896 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed (tf=100ns typ). unit mm High reliability (Adoption of HVP process). 2039D High breakdown voltage (VCBO=1500V). [2SC3896] Adoption of MBIT process. 1 Base 2 Collector 3 E

8.2. Size:93K sanyo
2sc3897.pdf pdf_icon

Ordering number EN4098 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC3897 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed (tf=100ns typ). unit mm High reliability (Adoption of HVP process). 2039D High breakdown voltage (VCBO=1500V). [2SC3897] Adoption of MBIT process. 1 Base 2 Collector 3 E

8.3. Size:87K sanyo
2sa1509 2sc3899.pdf pdf_icon

8.4. Size:84K sanyo
2sc3894.pdf pdf_icon

Ordering number EN2965B NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC3894 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed (tf=100ns typ). unit mm High breakdown voltage (VCBO=1500V). 2039D High reliability (Adoption of HVP process). [2SC3894] Adoption of MBIT process. 1 Base 2 Collector 3