2N2100A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N2100A  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO9

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2N2100A datasheet

 9.1. Size:728K  rca
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2N2100A

 9.2. Size:45K  st
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2N2100A

2N2102 EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH DESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPN transistor in Jedec TO-39 metal case. It is intended for a wide variety of small-signall and medium power applications in military and industrial equipments. TO-39 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collec

 9.3. Size:47K  st
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2N2100A

2N2102 EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH DESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPN transistor in Jedec TO-39 metal case. It is intended for a wide variety of small-signall and medium power applications in military and industrial equipments. TO-39 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collec

 9.4. Size:74K  central
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2N2100A

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

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