2N2101 Todos los transistores

 

2N2101 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N2101
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.025 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO61
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N2101 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:728K  rca
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2N2101

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2N2101

2N2102EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ANDSWITCHDESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintended for a wide variety of small-signall andmedium power applications in military andindustrial equipments.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collec

 9.3. Size:47K  st
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2N2102EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ANDSWITCHDESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintended for a wide variety of small-signall andmedium power applications in military andindustrial equipments.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collec

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2N2101

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

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History: GBD189 | GFT22 | 2SA437 | MMBT200

 

 
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