2N2102A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N2102A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 65 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO5

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2N2102A datasheet

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2N2102A

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2N2102A

2N2102 EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH DESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPN transistor in Jedec TO-39 metal case. It is intended for a wide variety of small-signall and medium power applications in military and industrial equipments. TO-39 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collec

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2N2102 EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH DESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPN transistor in Jedec TO-39 metal case. It is intended for a wide variety of small-signall and medium power applications in military and industrial equipments. TO-39 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collec

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2N2102A

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

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