2N2104 Todos los transistores

 

2N2104 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N2104
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO5
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N2104 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:728K  rca
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2N2104

2N2102EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ANDSWITCHDESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintended for a wide variety of small-signall andmedium power applications in military andindustrial equipments.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collec

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2N2102EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ANDSWITCHDESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintended for a wide variety of small-signall andmedium power applications in military andindustrial equipments.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collec

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2N2104

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

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History: NSS20500UW3 | BTB1424FP | KT885B | 2SC1376 | FJPF5021 | BLY80 | 2SC2412-S

 

 
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