2SC4163 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC4163 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 160 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO220F
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2SC4163 datasheet
2sc4163.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4163 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High Switching Speed Wide Area of Safe Operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications.
2sc4160.pdf
Ordering number ENN2481C NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC4160 400V/4A Switching Regulator Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage. unit mm High reliability. 2041A Fast switching speed (tf=0.1 s typ). [2SC4160] Wide ASO. 4.5 10.0 2.8 Adoption of MBIT process. 3.2 Micaless package facilitating mounting. 2.4 1.6
Otros transistores... 2SC4161, 2SC4161L, 2SC4161M, 2SC4161N, 2SC4162, 2SC4162L, 2SC4162M, 2SC4162N, 2SD669A, 2SC4163L, 2SC4163M, 2SC4163N, 2SC4164, 2SC4164L, 2SC4164M, 2SC4164N, 2SC4165
History: 2SC5939 | CCS2001
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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