2SC4367 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC4367

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO92

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2SC4367 datasheet

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2SC4367

2SC4367 Silicon NPN Epitaxial Application High Frequency amplifier Outline TO-92MOD 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC4367 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 30 V Collector to emitter voltage VCEO 20 V Emitter to base voltage VEBO 3V Collector current IC 100 mA Collector peak current iC (peak) 200 mA Collecto

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2SC4367

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2SC4367

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2SC4367

Ordering number EN3008 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC4364 VHF, UHF/MIX. OSC. Low-Voltage High-Frequency Amplifier Applications Features Package Dimensions Low-voltage operation unit mm fT=3.0GHz typ (VCE=3V) 2018B MAG=11dB typ (VCE=3V, IC=3mA) [2SC4364] NF=3.0dB typ (VCE=3V, IC=3mA) 0.4 0.16 3 0 0.1 1 0.95 2 0.95 1.9 2.9 1 Base 2 Emitter 3 Col

Otros transistores... 2SC436, 2SC4360, 2SC4361, 2SC4362, 2SC4363, 2SC4364, 2SC4365, 2SC4366, 2N3055, 2SC4368, 2SC4369, 2SC437, 2SC4370, 2SC4371, 2SC4372, 2SC4373, 2SC4374