2SC4476 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC4476

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 2000 V

Tensión colector-emisor (Vce): 1800 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 6 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO220AB

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2SC4476 datasheet

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2SC4476

Ordering number EN3339 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC4476 1800V/10mA High-Voltage Amplifier, High-Voltage Switching Applications Applications Package Dimensions High voltage amplifier. unit mm High voltage switching. 2010C Dynamic focus. [2SC4476] 10.2 4.5 3.6 5.1 1.3 Features High breakdown voltage (VCEO min=1800V). Small Cob (Cob typ=1

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2SC4476

Ordering number EN3018 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1697/2SC4474 High-Definition CRT Display, Video Output Applications Applications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-band unit mm amplifier. 2041 [2SA1697/2SC4474] Features High fT fT=300MHz. High breakdown voltage VCEO=200V min. Small reverse transfer capacitan

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2SC4476

Ordering number EN3017 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1696/2SC4473 High-Definition CRT Display, Video Output Applications Applications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-band unit mm amplifier. 2041 [2SA1696/2SC4473] Features High fT fT=500MHz. High breakdown voltage VCEO=120V min. Small reverse transfer capacitan

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