2SC4479 Todos los transistores

 

2SC4479 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC4479
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 800 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: ISO126
 

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2SC4479 Datasheet (PDF)

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2SC4479

Ordering number:EN3018PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1697/2SC4474High-Definition CRT Display,Video Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2041[2SA1697/2SC4474]Features High fT : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=200V min. Small reverse transfer capacitan

 8.2. Size:122K  sanyo
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2SC4479

Ordering number:EN3017PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1696/2SC4473High-Definition CRT Display,Video Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2041[2SA1696/2SC4473]Features High fT : fT=500MHz. High breakdown voltage : VCEO=120V min. Small reverse transfer capacitan

 8.3. Size:88K  sanyo
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2SC4479

Ordering number:EN3338NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC44751800V/3mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching ApplicationsApplications Package Dimensions High voltage amplifier.unit:mm High voltage switching.2010C Dynamic focus.[2SC4475]10.24.53.65.11.3Features High breakdown voltage (VCEO min=1800V). Small Cob (Cob typ=1.

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History: 2SB615 | 2SB61 | LDTA124TET1G | 2SC1416A | MMBT5087L

 

 
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