2SC482 Todos los transistores

 

2SC482 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC482
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO39
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC482 Datasheet (PDF)

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2SC482

Ordering number : ENN5495A2SA1852 / 2SC4826PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1852 / 2SC4826High Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplicationsPackage Dimensions High definition CRT display video output,unit : mmwide-band amplifer.2084B[2SA1852 / 2SC4826]Features 4.51.9 2.610.51.2 1.4 Adoption of FBET process. High fT : fT=

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2SC482

Ordering number:EN4717PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1853/2SC4827High Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output. Wide-unit:mmband amplifier.2084B[2SA1853/2SC4827]Features Adoption of FBET process. High fT : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=200V. Small

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2SC482

Ordering number:EN4132PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1850/2SC4824High Definition CRTDisplay Video Output ApplicationsApplications Package Dimensions High Definition CRT Display Video Output Applica-unit:mmtions, Wide-Band Amplifier.2084[2SA1850/2SC4824]Features Adoption of FBET process. High Gain Bandwidth product (fT=400MHz). High breakdow

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