2SC482Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC482Y
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO39
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2SC482Y datasheet
2sa1852 2sc4826.pdf
Ordering number ENN5495A 2SA1852 / 2SC4826 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1852 / 2SC4826 High Definition CRT Display Video Output Applications Applications Package Dimensions High definition CRT display video output, unit mm wide-band amplifer. 2084B [2SA1852 / 2SC4826] Features 4.5 1.9 2.6 10.5 1.2 1.4 Adoption of FBET process. High fT fT=
2sc4827.pdf
Ordering number EN4717 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1853/2SC4827 High Definition CRT Display Video Output Applications Applications Package Dimensions High-definition CRT display video output. Wide- unit mm band amplifier. 2084B [2SA1853/2SC4827] Features Adoption of FBET process. High fT fT=300MHz. High breakdown voltage VCEO=200V. Small
2sc4824.pdf
Ordering number EN4132 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1850/2SC4824 High Definition CRT Display Video Output Applications Applications Package Dimensions High Definition CRT Display Video Output Applica- unit mm tions, Wide-Band Amplifier. 2084 [2SA1850/2SC4824] Features Adoption of FBET process. High Gain Bandwidth product (fT=400MHz). High breakdow
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