2SC499 Todos los transistores

 

2SC499 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC499
   Código: YS-
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SC499 Datasheet (PDF)

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 0.1. Size:51K  rohm
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2SC499

2SC4997 / 2SC4998TransistorsHigh-frequency Amplifier Transistor,RF switching (10V, 0.1A)2SC4997 / 2SC4998 Features External dimensions (Units : mm)1) High transition frequency. (fT=240MHz)2) High hFE. 2SC4997(1)(2)(3)0.8 Absolute maximum ratings (Ta=25C)1.6Parameter Symbol Limits UnitCollector-base voltage VCBO 15 V0.1Min.Collector-emitter voltage VCEO 10 V

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2SC499

2SC4993Silicon NPN EpitaxialADE-208-0111st. EditionApplicationVHF / UHF wide band amplifierFeatures High gain bandwidth productfT = 10.5 GHz Typ High gain, low noise figurePG = 16.5 dB Typ, NF = 1.2 dB Typ at f = 900 MHzOutlineMPAK-42311. Collector2. Emitter43. Base4. Emitter2SC4993Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Unit

 0.3. Size:65K  hitachi
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2SC499

2SC4994Silicon NPN EpitaxialADE-208-0121st. EditionApplicationVHF / UHF wide band amplifierFeatures High gain bandwidth productfT = 10.5 GHz Typ High gain, low noise figurePG = 17.0 dB Typ, NF = 1.2 dB Typ at f = 900 MHzOutlineCMPAK42311. Collector42. Emitter3. Base4. Emitter2SC4994Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings U

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History: 3CD150 | ZTX109BL | 2N5321O | 2N2383 | 2N376A | ZTX327K | PMC3358

 

 
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