2SC507O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC507O
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 170 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: TO39
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2SC507O datasheet
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2sc5070.pdf
Ordering number EN4473 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5070 Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Driver Applications Features Package Dimensions High current capacity. unit mm Adoption of MBIT process. 2084A High DC current gain. [2SC5070] Low collector-to-emitter saturation voltage. 4.5 1.9 2.6 10.5 High VEBO. 1.2 1.4 1.2 0.5 1.6 0.5 1 2
Otros transistores... 2SC5058 , 2SC505O , 2SC505R , 2SC506 , 2SC5068A , 2SC506O , 2SC506R , 2SC507 , TIP3055 , 2SC507R , 2SC507Y , 2SC508 , 2SC509 , 2SD1350A , 2SD1579K , 2SC509GTM , 2SC509O .
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