2SC511R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SC511R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 40(max) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO39

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC511R

2SC511R Datasheet (PDF)

8.1. Size:743K 1
2sc500 2sc501 2sc502 2sc503 2sc504 2sc505 2sc506 2sc507 2sc508 2sc509 2sc510 2sc511.pdf

8.2. Size:98K 1
2sc50x 2sc51x 2sc52x 2sc511 2sc513 2sc530.pdf

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2SC5111FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111FT For VCO Application Unit: mm Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 10 VEmitter-base voltage VEBO 3 VBase current IB 30 mACollector current IC 60 mACollector power dissipation PC 100 mWJunction tempera

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2SC5111 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111 For VCO Application Unit: mm Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 10 VEmitter-base voltage VEBO 3 VBase current IB 30 mACollector current IC 60 mACollector power dissipation PC 100 mWJunction temperature

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2SC5110 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5110 For VCO Application Unit: mm Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 10 VEmitter-base voltage VEBO 3 VBase current IB 30 mACollector current IC 60 mACollector power dissipation PC 100 mWJunction temperature

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050