2SC515A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC515A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 12 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO66
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2SC515A datasheet
2sc5155.pdf
Ordering number EN4802 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5155 Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Applications Applications Package Dimensions Various drivers. unit mm 2045B Features [2SC5155] 6.5 High current capacity. 2.3 5.0 0.5 4 Adoption of MBIT process. High DC current gain. Low collector-to-emitter saturation voltage. High VEBO. 0.8
2sc515.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC515 DESCRIPTION With TO-66 package High breakdown voltage APPLICATIONS For use in line-operated color TV chroma output circuits and sound output circuits PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PA
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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