2SC546 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC546
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 300 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO92
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2SC546 datasheet
2sc5465.pdf
2SC5465 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5465 Industrial Applications Switching Regulator and High Voltage Switching Unit mm Applications High Speed DC-DC Converter Applications Excellent switching times tr = 0.7 s (max) t = 0.5 s (max) (I = 0.08 A) f C High collector breakdown voltage V = 800 V CEO Maximum Ratings (Ta = 25 C) Cha
2sc5464.pdf
2SC5464 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5464 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure, high gain. NF = 1.1dB, S 2 = 12dB (f = 1 GHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 12 V Emitter-base voltage VEBO 3 V C
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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