2SC549 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC549

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO31

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2SC549 datasheet

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2SC549

Ordering number ENA1091 2SC5490A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to S-Band Low-Noise Amplifier 2SC5490A Applications Features Low-noise NF=0.9dB typ (f=1GHz). NF=1.4dB typ (f=1.5GHz). Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA). fT=3.5GHz typ. S21e 2=5.5dB typ (f=1.5GHz). High gain S21e 2=10dB typ

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2SC549

Ordering number ENA1091A 2SC5490A RF Transistor http //onsemi.com 10V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single SSFP Features Low-noise NF=0.9dB typ (f=1GHz) NF=1.4dB typ (f=1.5GHz) Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA) fT=3.5GHz typ S21e =5.5dB typ (f=1.5GHz) 2 High gain 2 S21e =10dB typ (f=1.5GHz) High cut-off frequency fT=8GHz t

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