2SC583 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC583

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 650 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO72

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2SC583 datasheet

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2SC583

 0.2. Size:80K  panasonic
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2SC583

Transistors 2SC5839 Silicon NPN epitaxial planar type For low-voltage high-frequency amplification Unit mm Features High transition frequency fT 3 2 Suitable for high-density mounting and downsizing of the equip- 1 ment for Ultraminiature leadless package 0.39+0.01 1.00 0.05 -0.03 0.6 mm 1.0 mm (height 0.39 mm) 0.25 0.05 0.25 0.05 1 Absolute Maximum Ratings

 0.3. Size:79K  panasonic
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2SC583

Transistors 2SC5838 Silicon NPN epitaxial planar type For UHF band low-noise amplification Unit mm Features 3 2 Suitable for high-density mounting and downsizing of the equip- ment for Ultraminiature leadless package 1 0.6 mm 1.0 mm (height 0.39 mm) 0.39+0.01 1.00 0.05 -0.03 0.25 0.05 0.25 0.05 1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C Parameter Symbol Rating Unit

 0.4. Size:1332K  sanken-ele
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2SC583

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