2N2171 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2171
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
Paquete / Cubierta: TO5
- Selección de transistores por parámetros
2N2171 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N2164 , 2N2165 , 2N2166 , 2N2167 , 2N2168 , 2N2169 , 2N217 , 2N2170 , 2SC2922 , 2N2172 , 2N2173 , 2N2174 , 2N2175 , 2N2176 , 2N2177 , 2N2178 , 2N218 .
History: 2SC2000 | BC232B | 2N233A | 2N964 | 2SC3443 | 2SC1103A | 2SC3355
History: 2SC2000 | BC232B | 2N233A | 2N964 | 2SC3443 | 2SC1103A | 2SC3355



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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