2SC73 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC73

Material: Ge

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.005 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 8 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: R14

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2SC73 datasheet

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2SC73

2SC732TM TOSHIBA TRANSISTOR SILOCON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 2SC732TM LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm High Breakdomn Voltage VCEO = 50V Excellent hFE Linearity h (I = 0.1mA)/h (I = 2mA) = 0.95 (Typ.) FE C FE C Low Noise NF (1) = 0.5dB (Typ.) (f = 100Hz) NF (2) = 0.2dB (Typ.) (f = 1kHz) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC

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2SC73

2SC732TM TOSHIBA TRANSISTOR SILOCON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 2SC732TM LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm High Breakdomn Voltage VCEO = 50V Excellent hFE Linearity h (I = 0.1mA)/h (I = 2mA) = 0.95 (Typ.) FE C FE C Low Noise NF (1) = 0.5dB (Typ.) (f = 100Hz) NF (2) = 0.2dB (Typ.) (f = 1kHz) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC

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