2SC73 Todos los transistores

 

2SC73 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC73
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.005 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: R14

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2SC73 Datasheet (PDF)

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2SC732TM TOSHIBA TRANSISTOR SILOCON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 2SC732TM LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm High Breakdomn Voltage : VCEO = 50V Excellent hFE Linearity : h (I = 0.1mA)/h (I = 2mA) = 0.95 (Typ.) FE C FE C Low Noise : NF (1) = 0.5dB (Typ.) (f = 100Hz) : NF (2) = 0.2dB (Typ.) (f = 1kHz) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC

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2SC73

2SC732TM TOSHIBA TRANSISTOR SILOCON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 2SC732TM LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm High Breakdomn Voltage : VCEO = 50V Excellent hFE Linearity : h (I = 0.1mA)/h (I = 2mA) = 0.95 (Typ.) FE C FE C Low Noise : NF (1) = 0.5dB (Typ.) (f = 100Hz) : NF (2) = 0.2dB (Typ.) (f = 1kHz) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC

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History: T1042 | 2N1711

 

 
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