2SC739 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC739

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 175 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO92

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2SC739 datasheet

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2SC739

2SC732TM TOSHIBA TRANSISTOR SILOCON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 2SC732TM LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm High Breakdomn Voltage VCEO = 50V Excellent hFE Linearity h (I = 0.1mA)/h (I = 2mA) = 0.95 (Typ.) FE C FE C Low Noise NF (1) = 0.5dB (Typ.) (f = 100Hz) NF (2) = 0.2dB (Typ.) (f = 1kHz) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC

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2SC739

2SC732TM TOSHIBA TRANSISTOR SILOCON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 2SC732TM LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm High Breakdomn Voltage VCEO = 50V Excellent hFE Linearity h (I = 0.1mA)/h (I = 2mA) = 0.95 (Typ.) FE C FE C Low Noise NF (1) = 0.5dB (Typ.) (f = 100Hz) NF (2) = 0.2dB (Typ.) (f = 1kHz) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC

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