2SC756-2 Todos los transistores

 

2SC756-2 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC756-2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 32 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 70 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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2SC756-2 Datasheet (PDF)

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2SC756-2

2SC752(G)TM TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC752(G)TM Ultra High Speed Switching Applications Unit: mm Computer, Counter Applications High transition frequency: fT = 400 MHz (typ.) Low saturation voltage: V = 0.3 V (max) CE (sat) High speed switching time: t = 15 ns (typ.) stgMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics

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2SC756-2

2SC752TM(BR3DG752TMK) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High transition frequency, low saturation voltage, high speed switching time. / Applications Ultra high speed switchi

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History: 2SC3393R | 2SC3072A | LMBT5551LT1G

 

 
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