2SC788 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC788

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 150 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO39

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2SC788 datasheet

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2SC788

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC789 DESCRIPTION With TO-220C package Low collector saturation voltage APPLICATIONS For medium power linear and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Col

 9.2. Size:217K  inchange semiconductor
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2SC788

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC789 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5(V)(Max)@ I = 3A CE(sat) C DC Current Gain- h = 40-240 @ I = 0.5A FE C Complement to Type 2SA489 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

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