2SC789Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC789Y
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC789Y
2SC789Y Datasheet (PDF)
2sc789.pdf
JMnic Product SpecificationSilicon NPN Power Transistors 2SC789 DESCRIPTION With TO-220C package Low collector saturation voltage APPLICATIONS For medium power linear and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Col
2sc789.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC789DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.5(V)(Max)@ I = 3ACE(sat) CDC Current Gain-: h = 40-240 @ I = 0.5AFE CComplement to Type 2SA489Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY
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