2SC798 Todos los transistores

 

2SC798 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC798
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 45 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 18 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO5
 
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2SC798 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:39K  toshiba
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 9.2. Size:45K  no
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2SC798

 9.3. Size:142K  jmnic
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2SC798

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC792 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS For voltage regulator,inverter,switching mode power supply applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER CON

 9.4. Size:215K  inchange semiconductor
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2SC798

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC790DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.4(V)(Max)@ I = 2ACE(sat) CDC Current Gain-: h = 40-240 @ I = 0.5AFE CComplement to Type 2SA490Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

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