2SC799 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC799

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO5

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2SC799 datasheet

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2SC799

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2SC799

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC792 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS For voltage regulator,inverter,switching mode power supply applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER CON

 9.3. Size:215K  inchange semiconductor
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2SC799

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC790 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.4(V)(Max)@ I = 2A CE(sat) C DC Current Gain- h = 40-240 @ I = 0.5A FE C Complement to Type 2SA490 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

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