2SC86 Todos los transistores

 

2SC86 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC86
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO1
 

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2SC86 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:154K  jmnic
 2sc867.pdf pdf_icon

2SC86

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC867 DESCRIPTION With TO-66 package High collector-base breakdown voltage :VCBO=400V(min) APPLICATIONS For high voltage and switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER

 0.2. Size:189K  inchange semiconductor
 2sc867.pdf pdf_icon

2SC86

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC867DESCRIPTIONWith TO-66 PackageLow collector saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in line-operated color TV chromaoutput circuits and sound output circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vo

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History: LT1016 | CSB1116L

 

 
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