2SC862 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC862
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 650 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC862
2SC862 Datasheet (PDF)
2sc867.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC867 DESCRIPTION With TO-66 package High collector-base breakdown voltage :VCBO=400V(min) APPLICATIONS For high voltage and switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER
2sc867.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC867DESCRIPTIONWith TO-66 PackageLow collector saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in line-operated color TV chromaoutput circuits and sound output circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vo
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History: 2N369
History: 2N369
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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