2SC89 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC89
Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de 2SC89
2SC89 Datasheet (PDF)
2sc898.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC898DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V (Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.)@ I = 6ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX U
2sc897.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SC897DESCRIPTIONWith TO-3 packagingLarge collector currentLow collector saturation voltageHigh power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in DC-DC converterDriver of solenoid or motorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Otros transistores... 2SC882 , 2SC883 , 2SC884 , 2SC885 , 2SC886 , 2SC887 , 2SC888 , 2SC889 , BD135 , 2SC890 , 2SC891 , 2SC892 , 2SC893 , 2SC894 , 2SC895 , 2SC895-1 , 2SC896 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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