2SC89 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC89

Material: Ge

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO5

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2SC89 datasheet

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2SC89

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2SC89

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC898 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V (Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.)@ I = 6A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER MAX U

 0.3. Size:184K  inchange semiconductor
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2SC89

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SC897 DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

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