2SC90H Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC90H

Material: Ge

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO5

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2SC90H

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC9014 DESCRIPTION High total power dissipation High hFE and good linearity Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for Switching and amplification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 50 V CBO V Coll

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