2SD1080S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1080S
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: TO218
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2SD1080S datasheet
2sd108.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD108 DESCRIPTION High DC current gain- h = 2000 (Min) @ I = 1A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V =80V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power switching Hammer drivers Series and shunt regulator Audio amplifi
2sd1088.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1088 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 250V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 2000(Min.)@I = 2A FE C Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max) @I = 4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in hig
Otros transistores... 2SD1077 , 2SD1077L , 2SD1077S , 2SD1078 , 2SD1079 , 2SD108 , 2SD1080 , 2SD1080L , S9013 , 2SD1081 , 2SD1081L , 2SD1081S , 2SD1082 , 2SD1083 , 2SD1083L , 2SD1083S , 2SD1084 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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