2SD1090 Todos los transistores

 

2SD1090 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1090
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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2SD1090 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  toshiba
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2SD1090

 8.1. Size:285K  toshiba
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2SD1090

 8.2. Size:185K  inchange semiconductor
 2sd1095.pdf pdf_icon

2SD1090

isc Product Specificationisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1095DESCRIPTIONHigh Voltage CapabilityExcellent Safe Operating AreaFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsMotor controls .DC-DC converters .Absolute maximum ratings(Ta=25)SYM

 8.3. Size:185K  inchange semiconductor
 2sd1094.pdf pdf_icon

2SD1090

isc Product Specificationisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1094DESCRIPTIONHigh Voltage CapabilityHigh Current CapabilityFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching and general purpose poweramplifiers applications .Absolute maximum ratings(Ta=25

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History: MPQ2906 | 2SAB34 | LUMC3NT1G | D32L2 | 2SC3447M | 2SB1018 | 2N6312

 

 
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