2N2270L Todos los transistores

 

2N2270L . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N2270L

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 50

Empaquetado / Estuche: TO5

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N2270L

 

2N2270L Datasheet (PDF)

4.1. 2n2270.pdf Size:420K _rca

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4.2. 2n2270.pdf Size:366K _no

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 4.3. 2n2270al.pdf Size:10K _semelab

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2N2270AL Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Bipolar NPN Device in a 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 (0.035)max. 38.00 Bipolar NPN Device. (1.5) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. VCEO = 45V 5.08 (0.200) IC = 1.0A typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 ca

4.4. 2n2270.pdf Size:224K _cdil

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Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N2270 TO-39 Metal Can Package Amplifier Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCEO Collector Emitter Voltage 45 V Collector Emitter Voltage, RBE < 10 VCER 60 V VCBO Collector Base Voltage 60 V VEBO Emitter Base Voltage 7.0 V IC Col

Otros transistores... 2N2259 , 2N226 , 2N2266 , 2N2267 , 2N2268 , 2N2269 , 2N227 , 2N2270 , BC558 , 2N2270S , 2N2271 , 2N2272 , 2N2273 , 2N2274 , 2N2275 , 2N2276 , 2N2277 .

 

 
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